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时间简史-自下而上 从工业现状看FD-SOI技术发展

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   “12nm FD-SOI芯片的本钱将和7nm FINFET芯片的本钱具有可比性,而7nm FINFET芯片的本钱大约为每100万晶体管1.3美元。”

  IBS首席履行官Handel Jones在9月16日举行的第七届上海FD-SOI论坛(以下简称:FD-SOI论坛)上如是说。而他在共享题为《人工智能对轿车和物联网的影响与我国机会》的陈述中还说到,因为需求有用的链接,物联网(IoT)商场将继续高速添加,将具有数十亿乃至是数百亿的衔接单位,具有本地处理、数据剖析和安全性至关重要。而处理才能是对功率、本钱、功用和可用算法做出的权衡,根据FD-SOI打造的芯片在这方面代表着最佳挑选。

  作为一家有公信力的商场剖析组织,IBS的言辞再一次证明FD-SOI是一个有功用优势的工艺技能。FD-SOI技能又称彻底耗尽型绝缘体上硅,是一种平面工艺技能,具有削减硅几许尺度一起简化制作工艺的长处。不过,尽管FD-SOI展示出了共同的优势,且得到了大众认可,不过在高端制程以及商业化方面一向饱尝诟病。

  本届FD-SOI论坛侧重从商场使用切入,让咱们更为详细地看到了FD-SOI当时的工业现状,且能够结合详细的解决方案从头审视FD-SOI技能的优势。除了开幕致辞和主题讲演环节,本届FD-SOI论坛的设定环节包含“笔直职业推进FD-SOI工业开展”、“根据FD-SOI技能的智能物联网”以及“根据FD-SOI技能的轿车电子”三大环节。每一个环节都有职业界极具代表性的厂商嘉宾参加,并随同有芯原创始人、董事长兼总裁戴伟民掌管的圆桌评论。

  在“笔直职业推进FD-SOI工业开展”环节,恩智浦副总裁总司理Ron Martino、索尼半导体总司理Kenichi Nakano和瑞芯简历模板免费下载微电子高档副总裁陈锋结合轿车、工业和物联网这些笔直职业议论了FD-SOI技能的开展和技能优势。

  Kenichi Nakano要点共享了根据FD-SOI eMRAM技能的低功耗物联网产品。他表明,索尼现已在2时间简史-自下而上 从工业现状看FD-SOI技术发展019年成功出货第一款根据28nm FD-SOI工艺的eMRAM,根据这款产品能够打造FD-SOI + RF + eMRAM的IoT流程渠道,供给逻辑、衔接和非易失性存储器一体化的解决方案。一起,得益于FD-SOI技能的优异功用,该eMRAM具有低走漏特色,具有最少的掩模层添加,还具有高功用、高密度和低本钱的特色。

  尽管也是从职业动身,不过陈锋讲的相对而言视角更宽。他指出,AIoT是一个高度涣散的商场,终端商场具有高度碎片化的需求,这对芯片规划和研制带来了很大的应战,而FD-SOI技能愈加适用于IoT商场。FD-SOI相较于现有的工艺具有更少的工序,且更简单兼容RF器材。因而,FD-SOI技能能够让物联网芯片规划在本钱、功用、功耗和定制化方面获得很好的平衡。

  瑞芯微RK1808正是根据22nm FD-SOI工艺制作,在低功耗的一起完结了NPU峰值算力高达3.0TOPs,VPU支撑10时间简史-自下而上 从工业现状看FD-SOI技术发展80P视频编解码,支撑麦克风阵列并具有硬件VAD功用,支撑摄像头视频信号输入并具有内置ISP。

  “根据FD-SOI技能的智能物联网”环节由SOI工业联盟履行董事Jon Cheek支撑,芯原物联网互联渠道总监曾毅、Secure-IC首席履行官Hassan Triqui和Soitec FD-SOI业务部门总司理Michael Reiha共享了FD-SOI在物联网范畴的一些开展。

  曾毅共享的主题是《根据FD-SOI技能的低功耗物联网衔接IP规划》。他指出,近几年物联网芯片的价格在快速下降,NB-IoT芯片价格从2016年的5美元下降到现在的1美元,Lora芯片的价格现在仅为1.4美元,蓝牙芯片也在下降。可是,这些价格不是因为最新技能推进的,而是商场同质化引起的。咱们需求越来越多的体系IP来驱动物联网的开展,从而协助芯片厂商完结定制化。

  一起,他指出,芯原将经过了解FD-SOI的特征进一步优化IP解决方案的功用和安全,让客户完结更好的集成电路的规划。

  ST轿车商场及使用资深商场司理刘山林、Leti-CEA首席履行官Emmanuel Sabonnadiere以及格芯Fab 1厂总司理兼高档副总裁Thomas Morgenstern在“根据FD-SOI技能的轿车电子”环节做共享。他们分别从产品、技能和芯片制作三个方面论述了当时FD-SOI技能在轿车范畴的开展前沿信息。

  Thomas Morgenstern指出,现在格芯的22FDX工艺现已准备好投入出产,22FDX彻底符合AEC Q-100车规级要求,环境温度高达105,能够出产车规级eNVM、RF、图画传感器以及mmWave器材。

  刘山林表明,ST现已推出根据FD-SOI 28nm工艺的内置ePCM NVM的轿车MCU。在数据存储方面,该解决方案时间简史-自下而上 从工业现状看FD-SOI技术发展能够完结<12ns随机存取时间,0.8MB / s代码修正速度,并在150下经过2000小时保存测验。

  ST的轿车MCU解决方案估计2020年依照轿车使用要求完结现场实验,获得悉数技能认证。

  从众多专家和业者的观点中咱们能够看到,物联网将成为FD-SOI技能的严重机会,而和物联网休戚相关的MRAM也将成为FD-SOI技能打破的大方向。从工艺节点来看,根据现有老练的28nm和22nm节点的FD-SOI商场将保持稳健的添加,跟着物联网、无线通信、轿车电子对芯片功用和功耗要求更为严厉,更先进制程的FD-SOI技能将会更快到来。

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